Substrat mit Epitaxieschicht — epitaksinis padėklas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial body; epitaxial substrate vok. Substrat mit Epitaxieschicht, n rus. эпитаксиальная подложка, f pranc. corps à couche épitaxiale, m … Radioelektronikos terminų žodynas
corps à couche épitaxiale — epitaksinis padėklas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial body; epitaxial substrate vok. Substrat mit Epitaxieschicht, n rus. эпитаксиальная подложка, f pranc. corps à couche épitaxiale, m … Radioelektronikos terminų žodynas
epitaksinis padėklas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial body; epitaxial substrate vok. Substrat mit Epitaxieschicht, n rus. эпитаксиальная подложка, f pranc. corps à couche épitaxiale, m … Radioelektronikos terminų žodynas
epitaxial body — epitaksinis padėklas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial body; epitaxial substrate vok. Substrat mit Epitaxieschicht, n rus. эпитаксиальная подложка, f pranc. corps à couche épitaxiale, m … Radioelektronikos terminų žodynas
epitaxial substrate — epitaksinis padėklas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial body; epitaxial substrate vok. Substrat mit Epitaxieschicht, n rus. эпитаксиальная подложка, f pranc. corps à couche épitaxiale, m … Radioelektronikos terminų žodynas
ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… … Физическая энциклопедия
Шотки диод — Шоттки диод, диод с барьером Шотки, Полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл полупроводник; назван в честь немецкого учёного В. Шотки, создавшего в 1938 39 основы теории таких диодов. При изготовлении Ш. д. на… … Большая советская энциклопедия
Микроэлектроника — область электроники (См. Электроника), занимающаяся созданием электронных функциональных узлов, блоков и устройств в микроминиатюрном интегральном исполнении. Возникновение М. в начале 60 х гг. 20 в. было вызвано непрерывным усложнением… … Большая советская энциклопедия
Эпитаксия — (от Эпи... и греч. táxis расположение, порядок) ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию) … Большая советская энциклопедия
ЭПИТАКСИЯ — (от эпи... и греч. taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на пов сти другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они… … Химическая энциклопедия